3月13日|韓國首爾經濟日報援引不具名行業官員消息稱,三星電子正與英偉達合作,加速開發下一代NAND閃存芯片。來自三星半導體研究所、英偉達以及佐治亞理工學院(Georgia Tech)的聯合研究團隊開發了一種“物理信息神經算子”(Physics Informed Neural Operator)模型。
該模型能夠分析鐵電體(Ferroelectric)基NAND設備的性能,其分析速度比現有模型快10,000倍以上。相關研究成果已經公佈。基於這些研究發現,三星正與英偉達就鐵電NAND的開發與商業化展開合作。
新聞來源 (不包括新聞圖片): 格隆匯