消息面上，AI驱动HBM供给紧缺延续至2027年底，正引发存储行业价格暴涨与商业模式变革。因HBM晶圆消耗量是DDR5的3倍，原厂产能向AI倾斜导致传统产线被挤压，机构预计2026年全球MLC NAND产能将骤降41.7%，AI将消耗总DRAM产量的20%。供需错配致使DRAM出口价飙升近6倍至64,000美元/公斤，MLC现货半年飙涨300%。
机构指出，在极端供需错配下，行业利润正加速向掌握先进制程和HBM产能的头部原厂集中。HBM每片晶圆消耗量是DDR5的3倍，当三大原厂将有限的硅晶圆产能不计成本地向高利润的AI存储倾斜时，直接导致了传统DRAM和MLC NAND的供给真空。这不仅引发了DRAM出口、MLC现货价格飙升极端行情，更重要的是，下游客户被迫通过高达110亿美元的财务担保和长达5年的长期协议来锁定产能。这种由强信用背书的订单结构，直接将存储原厂的盈利可见度拉长至2027年，标志着存储板块的估值逻辑正从“看现货价格炒周期”向“看合同覆盖率炒成长”发生根本性切换。市场对HBM紧缺已有共识，海外龙头交易拥挤；但对传统存储因产能挤压带来的戴维斯双击定价极不充分，国内承接转单的传统存储厂商具备显著重估空间。
截至2026年5月13日 10:52，国证半导体芯片指数(980017)分股方面涨跌互现，晶盛机电领涨4.68%，卓胜微上涨2.84%，澜起科技上涨0.71%；北方华创下跌4.27%，海光信息下跌4.15%。半导体ETF鹏华(159813)最新报价1.46元。
半导体ETF鹏华紧密跟踪国证半导体芯片指数，为反映沪深北交易所芯片产业相关上市公司的市场表现，丰富指数化投资工具，编制国证半导体芯片指数。
数据显示，截至2026年4月30日，国证半导体芯片指数(980017)前十大权重股分别为海光信息、寒武纪、北方华创、中芯国际、兆易创新、澜起科技、中微公司、芯原股份、豪威集团、拓荆科技，前十大权重股合计占比71.51%。
半导体ETF鹏华(159813)，场外联接(A：012969；C：012970；I：022863)。
新闻来源 (不包括新闻图片): 有连云