內媒報道,中國工信部印發《首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024 年版)》通知,電子專用裝備列表包括「氟化氬光刻機」的深紫外光光刻機設備,核心技術指標是「晶圓直徑300mm,照明波長248nm,65納米以下分辨率,以及8納米以下套刻能力,意味著這部國產DUV可生產8納米及以下晶片。
此前美國及荷蘭收緊對中國的光刻機等的晶片設備出口,報道指若中國能製造生產8納米及以下的光刻機,意味著未來絕大多數晶片製造都不會再受ASML控制。(mn/w)
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